射頻放電離子鍍裝置特點(diǎn)

2012-06-13

射頻放電離子鍍裝置特點(diǎn)

①蒸發(fā)、離化和加速三種過(guò)程可分別獨(dú)立控制。離化是靠射頻激勵(lì)，而不是靠加速直流電場(chǎng)激勵(lì)，基體周?chē)⒉划a(chǎn)生陰極暗區(qū)。

②射頻離子鍍?cè)?0-3~10-1Pa高真空環(huán)境下也可穩(wěn)定放電工作，離化率高，可達(dá)5%-15%.提高了沉積粒子的總能蟹，改善了鍍層的致密度和結(jié)晶的結(jié)構(gòu)。因此制備的鍍層表面缺陷及針孔少，膜層質(zhì)量均勻致密，純度高.質(zhì)好。尤其對(duì)制備氧化膜和氮化膜等化合物膜十分有利。

③易進(jìn)行活性反應(yīng)離子鍍.合成化合物和對(duì)非金屬基體沉積具有優(yōu)勢(shì)。

④基體沮升低.操作方便，易于控制。

射頻離子鍍的不足之處是:

①由于在高真空下鍍膜，沉積拉子受氣體粒子的碰撞散射較小，繞鍍性差。

②射頻輻射對(duì)人體有傷害，必須注意采用合適的電源與負(fù)載的藕合匹配網(wǎng)絡(luò).同時(shí)要有良好的接地，防止射預(yù)泄翻。另外，要有良好的射振屏蔽，減少或防止射頻電源對(duì)側(cè)盆儀表的干擾。

上海帕特泵業(yè)制造有限公司

2012年06月13日星期三

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